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剑桥氮化镓器件 (Cambridge GaN Devices)

剑桥氮化镓器件公司(Cambridge GaN Devices,简称CGD)是一家无晶圆厂半导体公司,由剑桥大学的Florin Udrea教授和Giorgia Longobardi博士于2016年创立,旨在利用一项革命性的功率器件技术。我们的使命是通过提供极其高效且易于使用的晶体管,塑造未来电力电子的发展。CGD设计、开发并商业化氮化镓晶体管和集成电路,这些产品能够显著提升能源效率和紧凑性,并适用于大规模生产。

CGD65A055S2-T07

CGD65A055S2-T07

分类:单 FET、MOSFET

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

¥113.76
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CGD65B130S2-T13

CGD65B130S2-T13

分类:单 FET、MOSFET

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.

¥48.53
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CGD65A130S2-T13

CGD65A130S2-T13

分类:单 FET、MOSFET

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

¥47.23
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CGD65B200S2-T13

CGD65B200S2-T13

分类:单 FET、MOSFET

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

¥34.42
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